Francais | English



Accueil
Découvrez le Leti
Qui sommes-nous ?
L'environnement du Leti
La Recherche au Leti
Les plateformes d'innovation
Nos partenaires
Documentation
Livres
Travaillons ensemble
Développez votre business
Open 3D
Leti 3S
Les plateformes d'innovation
Success stories
Rejoignez-nous
Etudiants, bienvenue au Leti
Travaillez au Leti
A la découverte des micro et nano technologies
Les actualités
Presse
Communiqués de presse
Partenaire presse
Médiathèque

Leti, l'innovation
au service de l'industrie


Accueil

>

Travaillons ensemble

>

Développez votre business

> Open 3D

Open 3D


Imprimer Envoyer par email

Contact : OPEN_3D@cea.fr



Preliminary results using a 3D integration technology for hybrid pixel detectors designed for particle physics and imaging experiments :

Minapad2012_presentation-2.pdf Minapad 2012 presentation (2,45 MB)


Programme de la conférence :

MiNaPAD Forum 2012 conference program.pdf Conference program - MiNaPAD 2012 (2,92 MB)


Plus d'information : http://france.imapseurope.org/




• Qu'est-ce que l'intégration 3D ?


Dans le domaine de l’électronique, un composant intégré en 3D est un dispositif dans lequel au minimun deux couches actives sont intégrées verticalement afin de réaliser un nouveau composant ou un système complet.
Ces couches peuvent originellement provenir du même composant, on parle d'intégration 3D homogène, ou de composants de natures différentes comme de la mémoire, des processeurs, des MEMS, des composants passifs ou autres, il s'agit alors d’intégration 3D hétérogène.


• Quels sont les intérêts de l'intégration 3D ?

  • gagner de la place :
    miniaturiser le dispositif final (X, Y, Z)

  • améliorer les performances :
    - diminuer la résistance (R), la capacité parasite (C) et accroître la vitesse de propagation des signaux
    - augmenter la bande passante du système
    - diminuer la consommation d'énergie

  • permettre une intégration 3D hétérogène :
    - composants logiques / analogiques
    - mémoires
    - MEMS / capteurs
    - composants passifs
    - sources d’énergie
    …

  • réduire les coûts
    - diminuer la surface de silicium par composant
    - mixer les technologies matures et avancées
    - réutiliser les lignes de production existantes




• Quels sont les avantages pour votre société de travailler avec Open 3D ?

  • booster votre innovation en permettant à votre entreprise de :
    - améliorer les performances de vos produits
    - cibler de nouveaux marchés, de nouvelles applications et de nouveaux clients

  • valoriser vos produits avec la possibilité de :
    - personnaliser vos composants
    - limiter les coûts de réalisation
    - optimiser le temps de cycle de votre projet
    - disposer d'une offre globale incluant la conception, la technologie, le test et le packaging
    - réaliser des preuves de concept (faible quantité de plaques) ou des petites séries

  • accéder à des technologies innovantes
    Consultez l'offre technique :
catalogue modules technos.pdf Technological offer (1,23 MB)


  • collaborer avec des experts internationaux dans les domaines suivants :
    - conception / masques
    - technologies et procédés
    - métrologie / caractérisation
    - fiabilité

  • s'inscrire dans une démarche qualité :
    certification ISO 9001



• Quels sont les moyens et infrastructures d'Open 3D ?

  • un environnement international de renommée mondiale au sein du campus Minatec

  • 10 000 m2 de salles blanches incluant les infrastructures en 200 et 300 mm

  • des plateformes technologiques au plus haut niveau :
    - conception
    - MEMS 200
    - 3D 300 mm
    - test et caractérisation



• Comment collaborer ?




Publications


• 3D Integration technology for hybrid pixel detectors used in particle physics experiments

Abstract Minapad 2012_version finale.pdf Abstract MiNaPAD 2012 (11,11 kB)



• Process and RF modelling of TSV last approach for 3D RF interposer - IITC 2011 / Dresden (D)

IITC 2011-TSV last RF modeling-LETI-abstract.pdf Abstract-IITC 2011-TSV last RF modeling-LETI (5,09 kB)



• A Silicon Platform With Through-Silicon Vias for Heterogeneous RF 3D Modules - EUMW 2011 / Manchester (UK)

EuMW 2011-TSV last RF-ST-LETI-abstract.pdf Abstract-EuMW 2011-TSV last RF-ST-LETI (6,22 kB)



• Reliability Study of 3D-WLP Through Silicon Via with Innovative Polymer Filling Integration - ECTC 2011 / Buena Vista lake (USA)

ECTC 2011-TSV last filling-LETI-abstract.pdf Abstract-ECTC 2011-TSV last filling-LETI (6,26 kB)



• Hermetic Wafer-Level Packaging development for RF MEMS switch - ESTC 2010 / Berlin (D)

ESTC 2010-TSV last for MEMS-LETI-abstract.pdf Abstract-ESTC 2010-TSV last for MEMS-LETI (13,04 kB)



• Process Solutions and Polymer Materials for 3D-WLP Through Silicon Via Filling - ECTC 2010 / Las Vegas (USA)

ECTC 2010-TSV last filling-LETI-abstract.pdf Abstract-ECTC 2010-TSV last filling-LETI (5,52 kB)


• Development and Characterisation of a 3D Technology Including TSV and Cu Pillars for High Frequency Applications - ECTC 2010 / Las Vegas (USA)

ECTC 2010-TSV Last-LETI-abstract.pdf Abstract-ECTC 2010-TSV Last-LETI (7,28 kB)



• Development and Characterisation of High Electrical Performances TSV for 3D Applications - EPTC 2009 / Singapore

EPTC 2009-TSV last-LETI-abstract.pdf Abstract-EPTC 2009-TSV last-LETI (7,88 kB)



• Low Cost Lithography Solution for Advanced Packaging and Application to Through Silicon Via Process - EPTC 2008 / Singapore

EPTC 2008-TSV last litho process-LETI-abstract.pdf Abstract-EPTC 2008-TSV last litho process-LETI (6,16 kB)



• Enabling Technologies for 3D integration: From Packaging Miniaturization to Advanced Stacked ICs - IEDM 2008 / San Francisco (USA)

IEDM 2008-3D Integration-LETI-abstract.pdf Abstract-IEDM 2008-3D Integration-LETI (5,76 kB)



• Through Silicon Vias Technology for CMOS Image Sensors Packaging - ECTC 2008 / Buena Vista lake (USA)

ECTC 2008-TSV last for CIS-LETI-abstract.pdf Abstract-ECTC 2008-TSV last for CIS-LETI (5,60 kB)



VOIR AUSSI :

Leti 3S
  • Contact
  • Plan du site
  • Mentions Légales
  • MINATEC
  • CEA