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NANOELECTRONIQUE DU FUTUR : L’ALLIANCE CEA-LETI, IBM ET STMICROELECTRONICS
Le CEA-Leti a rejoint, depuis début 2009, l’Alliance de Développement sur les semiconducteurs d’IBM. Il la renforce en apportant ses compétences spécifiques, notamment en matière de technologies CMOS basse consommation (filières SOI), de lithographie e-beam et de caractérisation aux échelles nanométriques.
Dans le cadre de l’accord IBM-CEA/Léti, les travaux communs porteront principalement sur trois domaines :
-la lithographie avancée pour le prototypage rapide et pour la technologie 22 nm ;
-les technologies CMOS et les architectures de transistors basse consommation pour les filières 22nm et au-delà;
-les outils et méthodes de caractérisation aux échelles nanométriques permettant de maîtriser le développement des technologies ainsi que le contrôle en fabrication.
Les travaux de recherche sont menés à la fois sur la plateforme silicium 300 mm du CEA/Léti de Grenoble, sur celle du College of Nanoscale Science and Engineering de l’Université d’Albany (New-York, Etats-Unis), sur le site de STMicroelectronics à Crolles et dans l’usine de production de tranches 300 mm d’IBM à Fishkill (New-York, Etats-Unis).
« Les partenariats entre les équipes de recherche publics et privés sont de formidables accélérateurs de projets. Ils permettent de transformer plus rapidement les résultats des chercheurs en bénéfices pour améliorer notre vie quotidienne » précise Daniel Chaffraix, Président d’IBM France.
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