La technologie des mémoires flash à semi-conducteur est indispensable aux systèmes électroniques modernes. Sa position stratégique s’est renforcée au cours des dernières décennies grâce aux produits informatiques qui ont évolué vers des produits de consommation (et notamment les mobiles) générant ainsi des revenus pour l’industrie des circuits intégrés. Cet ouvrage propose un aperçu exhaustif des différentes approches technologiques étudiées actuellement pour satisfaire aux futures exigences en matière de mémoires. Deux axes de recherches principaux ont été identifiés et fait l’objet de discussions. Différentes « évolutions » basées sur l'utilisation de nouveaux matériaux (tels que les nanocristaux de silicium pour les nœuds de stockage, et les isolants high-k pour les diélectriques actifs) et de nouvelles architectures de transistors (tels que les dispositifs multi-grilles) sont étudiées pour élargir la technologie classique à grille flottante aux nœuds 32 nm. Des « ruptures » s’appuyant sur de nouveaux mécanismes de stockage ou de nouvelles technologies (comme les dispositifs à changement de phase, les mémoires moléculaires ou polymères de type cross-bar) sont également étudiées pour traiter les générations de circuits imprimés 22 nm ou plus petits. Enfin, les principales interrogations sur les activités et les développements sur la recherche future dans ce domaine y sont identifiées.

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