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Contact : Serge Tedesco (serge.tedesco@cea.fr)
Accroître la miniaturisation des circuits intégrés
Si les circuits intègrent toujours plus de transistors, c’est au prix d’efforts technologiques toujours plus coûteux et complexes. Pour concevoir des circuits de 22nm, voire plus petits encore, le Leti développe et explore les différentes options lithographiques à fort débit et faible coût industriel.
Aujourd’hui, la lithographie dans l’ultra-violet (193nm) profond permet la réalisation de structures sub-32nm. A l’horizon 2013, le demi-pas des circuits atteindra en production 32nm. Pour parvenir à ces objectifs tout en limitant les coûts de fabrication, le Leti travaille sur plusieurs aspects :
-le contrôle du fonctionnement des résines.
-la stabilité des composants d’une résine pour minimiser les phénomènes de diffusion, dégazage ou leaching.
-la métrologie
-la mise en place d’une métrologie de référence pour traquer proprement le nanomètre.
Les nouveaux champs d’investigation du Leti
-L’impression de structures sub-32nm en lithographie ultra-violet à 193nm par double patterning
Cette approche réduit les contraintes de réalisation des masques en relâchant les contraintes de résolution. Mais elle double le nombre d’étapes d’exposition et augmente donc sensiblement les coûts de production. En partenariat avec NIKON et DOW ADVANCED MATERIALS, le Leti étudie un procédé industriel capable de tolérer cet enchaînement d’étapes industrielles à coût modéré avant le transfert final du motif désiré dans le substrat technologique.
-La lithographie électronique à écriture directe (EBDW)
Sans utiliser de masques, cette technique réduit potentiellement les coûts de fabrication. Mais pour être viable, cette approche doit disposer d’un « débit » industriel. En collaboration avec la compagnie MAPPER (Pays Bas), le Leti a lancé le programme IMAGINE, le premier consortium international orienté sur la lithographie à écriture directe et faisceaux multiples. Objectif : atteindre un débit de 10 plaques par heure et par module d’exposition pour concurrencer les autres technologies de lithographie par masque à l’horizon 2012-2014.
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