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Intégration 3D


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Intégration 3D

Contact : Mark Scannell (mark.scannell@cea.fr)

Une boîte à outil qui donne du relief aux compétences

Grâce à sa grande expérience de la microélectronique, des MEMS et de la conception de circuit, le Leti a pu explorer un large éventail de techniques d’intégration 3D. Elles promettent des systèmes électroniques aux performances supérieures. En collaboration avec plusieurs sociétés, un procédé de réalisation intra-connexions entre plusieurs puces empilées a été développé pour être intégré à des lignes de fabrication.

Aujourd’hui, la diminution de la taille des circuits électroniques des composants CMOS ne suffit plus pour augmenter les performances du circuit et réduire la puissance consommée.

Malgré l’emploi d’interconnexions en cuivre, les composants avancés présentent des problèmes d’interférences, de puissance consommée et de retard sur les lignes RC.


Dans le même temps, l’idée d’améliorer les performances en empilant des puces les unes sur les autres s’est renforcée.

Aujourd’hui, pour accroître la fonctionnalité des composants, le Leti développe de nouveaux procédés d’interconnexions :

-packaging et intégration hétérogène
-mémoires
-composants logiques
-composants RF
-capteurs pour obtenir des systèmes ou sous-systèmes complets dans un seul package

Ces solutions réduisent le facteur de forme, le temps de mise sur le marché et le coût de fabrication.


La “boîte à outils” du Leti

Afin de couvrir l’ensemble des applications potentielles, le Leti a mis au point une “boîte à outils” pour les interconnexions au niveau de la puce CMOS et de son packaging. Cette boite autorise une large gamme de solutions à combiner ou à adapter pour répondre aux besoins spécifiques de nos partenaires comme la gravure profonde du silicium et les procédés de métallisation associés pour réaliser des intra-connexions traversantes dans un substrat de silicium (through silicon vias – TSV).


En 2008, Le Leti a réussi plusieurs transferts technologiques à ses partenaires industriels :

-procédé de TSV pour capteurs d’image CMOS aujourd’hui en production
-empilement de mémoires flash sur un CPU pour une application "carte à puce" utilisant une technologie d’interconnexions mise au point au Leti à base de micro-inserts.

 

Le Léti à la recherche de toujours plus de performance

-L’intégration hétérogène (“More Than Moore”) consiste à empiler des puces de différentes natures en utilisant de courtes interconnexions verticales : l’intraconnexion dans du silicium (“through-silicon vias” - TSV) est la principale filière technologique.

  • Performances améliorées des composants dans un volume ou une surface donnée.
  • Fonctionnalité accrue et facteur de forme réduit.


-“C’est un sujet réellement passionnant. L’idée de l’intégration 3D s’est très rapidement propagée ces derniers temps. De très nombreuses équipes s’intéressent à ce sujet en raison de ses potentialités d’application et des performances attendues que ce soit au niveau des technologies CMOS ou de packaging. Il y a donc beaucoup d’intérêts combinés dans ces développements” – Mark Scannell, Responsable programme Intégration 3D


-Boîte à outils d'intégration 3D du Leti : TSV, alignement, bonding, rodage, amincissement, planarisation, bumping, interconnexions et conception, développement d’applications comportant des signaux mixtes ou des puces hétérogènes.

VOIR AUSSI :

Lithographie  |  Matériaux pour la microélectronique  |  Composants de base
Substrats innovants  |  Nanotechnologies  |  Packaging et fiabilité
Technologies capteurs  |  Microfluidique  |  Plasmonique
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